Ученые разработали метод создания наноструктур на полупроводниках при комнатной температуре
26 мая 2026 года 19:02 ученые из Университета Райса представили новый метод создания наноразмерных узоров на полупроводниковых материалах, таких как кремнезем и оксид алюминия. Технология основана на использовании направленного стресса: под воздействием электронного пуbeam слой триоксида альфа-молибдена деформирует подложку, создавая микроскопические складки. Метод позволяет формировать оптические решетки в один этап без применения высоких температур и сложной литографии. Регулируя толщину слоя или интенсивность пучка, можно управлять параметрами структур, что открывает возможности для производства передовых фотонных и оптоэлектронных устройств.